机译:电子背散射衍射与截面阴极发光光谱相关的外延横向生长的GaN表征
机译:外延-侧面过度生长的非极性(11-20)和半极性(11-22)GaN的阴极荧光光谱与微观结构表征的关系
机译:在(0 0 0 1)蓝宝石上横向生长的外延GaN中,电子束激发下阴极发光强度和位错对比演化
机译:外延横向生长的GaN外延层上生长的InGaN / GaN MQW的阴极发光
机译:GaN结构的外延横向过度生长:阴极发光显微镜和微拉曼光谱的空间分辨表征
机译:银(001)和银(111)上超薄外延铬和氧化铁膜的生长和结构:通过X射线光电子衍射和低能电子衍射完成的综合研究。
机译:通过扫描X射线纳米束显微镜和电子背散射衍射在拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3外延薄膜中进行双畴成像
机译:外延横向生长的GaN的简并四波混频光谱:来自基本吸收边缘以下的信号
机译:两步横向外延过度生长的非平面GaN衬底模板中缺陷减少的透射电子显微镜研究